Flash Memory（閃存）是一種非易失性存儲器（斷電后數據不丟失），通過電子方式擦除和編程數據，廣泛應用于U盤、SSD固態硬盤、手機存儲、SD卡等設備中。

Flash Memory應用：

消費電子（手機、相機存儲）

數據中心（全閃存陣列替代傳統硬盤）

物聯網設備（低功耗需求）。

Flash Memory信號完整性檢測是針對閃存芯片或存儲設備在電氣信號層面的驗證過程，旨在確保數據讀寫、擦除操作的時序、電壓、電流等參數符合設計規范，并驗證其在各種環境下的穩定性和兼容性。

Flash Memory信號測試目的

功能驗證

確認閃存的命令序列（如讀、寫、擦除、ECC糾錯）能被正確識別與執行。

驗證接口協議（如ONFI、Toggle Mode、UFS、PCIe NVMe）的兼容性。

性能評估

測量信號完整性（Signal Integrity, SI），包括時序余量（Timing Margin）、眼圖（Eye Diagram）質量。

測試數據傳輸速率（如SATA III的6Gbps、PCIe 4.0的16GT/s）。

可靠性保障

檢測溫度、電壓波動下的信號穩定性（如-40℃~85℃工業級測試）。

評估耐久性（P/E Cycle）對信號衰減的影響。

Flash Memory信號完整性檢測項目

測試項目旨在驗證信號的電氣特性和時序是否符合標準：

輸入高低電壓（Input HIGH & LOW Voltage）：

測量信號的高電平（VIH）和低電平（VIL）是否滿足規格要求。

時鐘周期（CLK Period）：

驗證時鐘信號的周期是否在允許范圍內，確保數據傳輸速率的穩定性。

上升/下降時間（Rise & Fall Time）：

檢測信號邊沿的轉換速度，避免因過慢或過快導致信號失真。

輸入建立時間（Input Set-up Time）：

數據在時鐘信號到來前必須保持穩定的最小時間。

輸入保持時間（Input Hold Time）：

數據在時鐘信號到來后必須保持穩定的最小時間。