優爾鴻信檢測實驗室具備非破壞性、破壞性及半破壞性全類型檢測能力，涵蓋 3D X-Ray、C-SAM、場發射掃描電鏡、FIB、離子束切割、工業CT 等核心設備，可精準檢測焊點質量、PCB 缺陷、封裝內部問題等，兼顧外觀與深層分析，為電子元件可靠性提供全面技術支撐。

聚焦離子束（Focused Ion Beam，簡稱FIB）是一種的材料加工和分析技術，廣泛應用于材料科學、半導體制造、生物學等多個領域。FIB設備通過將高能離子束聚焦到樣品表面，進行微納加工和分析。其結合了聚焦離子束（FIB）和掃描電子顯微鏡（SEM）的功能，形成了FIB-SEM技術，實現對材料微觀結構的高分辨成像、局部取樣和三維重建。

FIB離子束的用途

FIB設備中的離子源產生高能離子束，常見的離子源是液態金屬離子源（LMIS），尤其是使用Ga?離子的顯微鏡應用。通過電場和磁場的控制，離子束被聚焦并精確掃描到樣品表面。

樣品加工：

高能離子束與樣品表面相互作用，通過濺射效應去除樣品表面的原子，實現納米級加工。

離子束還可以用于誘導沉積，在樣品表面沉積特定材料。

成像和分析：

同時，FIB設備通常配備掃描電子顯微鏡（SEM），用于對樣品進行高分辨率成像。

通過捕獲二次電子等信號，SEM可以獲取樣品表面的形貌信息。

FIB在失效分析中的應用

芯片截面分析：

FIB可以以納米級的精度對芯片進行截面切割，發現芯片內部的結構缺陷。

結合SEM成像，可以清晰觀察芯片內部的層次結構和材料分布。

電路修改和修復：

FIB技術可用于電路的精確修改，如切斷故障電路、沉積新材料修復電路等。

這在PCB板的失效分析和修復中具有重要意義，特別是對于復雜的多層PCB板。

TEM樣品制備：

TEM（透射電子顯微鏡）需要非常薄的樣品，通常約為100納米或更薄。

FIB設備可以精確選擇樣品上的特定區域，進行納米級切割，制備滿足TEM要求的樣品。

三維重構：

利用FIB-SEM技術，可以對樣品進行連續切片和成像，構建樣品的三維模型。

這有助于更深入地了解樣品的內部結構和性能。