掃描電子顯微鏡（簡稱SEM）是一種利用聚焦電子束掃描樣品表面，并通過探測(cè)電子與樣品相互作用產(chǎn)生的信號(hào)（如二次電子、背散射電子等）來形成高分辨率圖像的顯微分析儀器。其核心原理是：高能電子束與樣品表面相互作用后激發(fā)多種信號(hào)，通過探測(cè)這些信號(hào)并轉(zhuǎn)化為圖像，從而揭示樣品的微觀形貌、成分及結(jié)構(gòu)信息。

掃描電鏡的主要特點(diǎn)

高分辨率

現(xiàn)代SEM的分辨率可達(dá)1 nm，放大倍數(shù)范圍從幾十倍到幾十萬倍（連續(xù)可調(diào)）。

能觀察納米級(jí)至宏觀尺度的樣品細(xì)節(jié)。

大景深與立體感強(qiáng)

圖像具有明顯的三維立體感，適合觀察復(fù)雜表面（如斷口、凹凸不平的材料）。

多功能性

可搭載多種附件（如能譜儀EDS、電子背散射衍射EBSD等），實(shí)現(xiàn)形貌觀察+成分分析+晶體結(jié)構(gòu)解析的多維表征。

適用性廣

適用于導(dǎo)電或非導(dǎo)電樣品（低真空/環(huán)境模式可直接觀察非導(dǎo)電樣品）。

樣品制備簡單（如金屬、陶瓷、生物組織等均可直接觀察）。

非破壞性分析

低加速電壓下可減少樣品損傷，尤其適合對(duì)敏感材料（如生物樣品、納米材料）的觀察。

 掃描電鏡的用途

1. 材料科學(xué)

微觀結(jié)構(gòu)分析：觀察金屬、陶瓷、合金、高分子等材料的晶粒、相界面、裂紋、孔隙等細(xì)節(jié)。

缺陷分析：分析材料斷裂機(jī)制（如解理斷裂、疲勞斷裂）、腐蝕行為、磨損痕跡等。

成分分析：結(jié)合能譜儀（EDS），進(jìn)行微區(qū)元素定性/半定量分析。

納米材料表征：研究納米顆粒、納米線、納米管的形貌、尺寸分布及團(tuán)聚情況。

2. 納米技術(shù)

納米器件與材料：表征碳納米管、石墨烯、量子點(diǎn)等納米結(jié)構(gòu)的形貌與排列。

3. 半導(dǎo)體與電子工業(yè)

芯片檢測(cè)：結(jié)合切片試驗(yàn)，檢查集成電路表面缺陷、測(cè)量線寬、層厚及金屬化層質(zhì)量。

失效分析：分析電子元件的短路、開路、腐蝕等失效機(jī)理。